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深能級瞬態光譜檢測(DLTS)
簡介:

深能級瞬態光譜檢測(DLTS)是一種強大的技術,常用于研究半導體中缺陷的濃度和載流子結合能。該技術涉及在不同溫度下測量電容瞬變。首先,通過將半導體結反向偏置,大部分移動電荷載流子會被耗盡。隨后,通過正電壓脈沖將電壓短暫置零,空陷阱被填充。在脈沖結束之后,半導體結會再次處于反向偏置偏置狀態。此時電荷的移動就會引起瞬態電容的變化。

應用說明 測量策略 產品優勢 相關產品
應用說明

相關產品:MFIAMF-IAHF2TAHF2LI


應用說明


DLTS是一種強大的技術,常用于研究半導體中缺陷的濃度和載流子結合能。該技術涉及在不同溫度下測量電容瞬變。首先,通過將半導體結反向偏置,大部分移動電荷載流子會被耗盡。隨后,通過正電壓脈沖將電壓短暫置零,空陷阱被填充。在脈沖結束之后,半導體結會再次處于反向偏置偏置狀態。此時電荷的移動就會引起瞬態電容的變化。


測量策略

測量策略

您可以使用MFIA阻抗分析儀在長時間間隔內以高分辨率測量完整的電容瞬變過程。如圖2所示,使用LabOne?的繪圖儀模塊,您可以輕松完成DLTS測量的設置。


MFIA可以在10 μs(1 MHz下)的時間尺度上測量從1 mHz到5 MHz(不僅在1 MHz)范圍內的電容瞬變。 如圖3所示,LabOne?的數據采集(DAQ)模塊可以通過外部脈沖發生器或通過內部產生的偏置脈沖來觸發。借助DAQ模塊和數據緩沖區,您可以在高時間分辨率和長時間窗口(包括觸發事件之前的穩定狀態)下可靠地捕獲整個瞬態。


MFIA包含的雙通道鎖定放大器可用于同時捕獲電流瞬變和電容瞬變。與電容測量相比。與傳統的電容測量相比,DLTS可以在更短的時間內測量電容的變化,但是無法精確測量電容的絕對值。


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圖1: 包含MFIA阻抗分析儀的DLTS測量設備。




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圖2: LabOne繪圖儀模塊同時顯示了三個瞬態參數的測量:施加的電壓(藍色曲線),產生的電容變化(紅色曲線)以及其對應的電流變化(綠色曲線)。




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圖3: LabOne數據采集模塊顯示了瞬態電容測量在平均20次下的變化。圖中的標記顯示了10 μs內就能測到6 fF的電容差。


產品優勢

500kHz / 5MHz 阻抗分析儀



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━ 頻率范圍:1mHz-5MHz

━ 1 mΩ 至 1 TΩ,0.05% 基本精度

━ 具有完整的 MFLI 鎖相放大器功能

━ 10 μs 的時間尺度上測量電容瞬變

━ API 支持 Python,MATLAB,LabVIEW,C,.NET


選擇MFIA阻抗分析儀的優勢

━ 由于集成了數字化儀,更寬的電容測量范圍和靈活的工作頻率,MFIA得以完全超越已停產的Boonton 7200。此外,LabOne附帶了許多工具,可幫助您監視和優化實驗。

━ LabOne強大的API可以幫您輕松集成MFIA到復雜的實驗設置和溫度控制中。

━ 8級電流輸入可確保在施加反向偏置脈沖時儀器不會過載。




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